เมื่อเร็ว ๆ นี้ชุดอุปกรณ์เขียนด้วยเลเซอร์ chalcogenide P1 / P2 / P3 ขนาดใหญ่ 1 ม. * 2 ม. ที่พัฒนาโดยเจพีทีได้ตระหนักถึงการผลิตจำนวนมากอย่างต่อเนื่องในฝั่งไคลเอ็นต์ และความกว้างของโซนตายตัวของส่วนประกอบแบตเตอรี่สามารถควบคุมได้อย่างเสถียรภายใน 150μm ซึ่งอยู่ในระดับชั้นนำของอุตสาหกรรมและได้รับการยอมรับจากลูกค้าหลัก
ความกว้างของโซนตายเป็นตัวบ่งชี้ทางเทคนิคที่สำคัญมากสำหรับส่วนประกอบแบตเตอรี่แบบฟิล์มบาง และยังเป็นหนึ่งในตัวบ่งชี้หลักในการวัดความแม่นยำของอุปกรณ์เขียนด้วยเลเซอร์ ยิ่งจุดตายมีขนาดเล็ก พื้นที่สร้างพลังงานที่มีประสิทธิภาพของเซลล์ก็จะยิ่งใหญ่ขึ้น และประสิทธิภาพการสร้างพลังงานของโมดูลเซลล์ก็จะยิ่งสูงขึ้นเท่านั้น
JPT ยึดมั่นในการวางตำแหน่งทางอุตสาหกรรม "แหล่งกำเนิดแสงเลเซอร์ +" จากการไถลึกเป็นเวลาหลายปีด้วยข้อได้เปรียบของแกนเลเซอร์ รวมกับการควบคุมการเคลื่อนไหว การวัดที่แม่นยำ วิชันซิสเต็ม และเทคโนโลยีอื่น ๆ ประสบความสำเร็จในการพัฒนาระบบแยกลำแสง ความสม่ำเสมอของพลังงาน ของลำแสงเป็นสิ่งที่ดี เพื่อป้องกันผลกระทบของกระบวนการเขียน; ผ่านการติดตามวิถีที่พัฒนาขึ้นเอง การซูมไดนามิกการติดตามความสูง การตรวจสอบโซนตาย และฟังก์ชั่นอื่น ๆ ที่เป็นตัวช่วยในการปรับปรุงความแม่นยำของอุปกรณ์เขียน การตรวจสอบโซนตาย ผ่านการติดตามแทร็กที่พัฒนาขึ้นเอง การซูมไดนามิกการติดตามความสูง การตรวจสอบโซนตาย และฟังก์ชั่นอื่น ๆ ที่เป็นตัวช่วย เพื่อปรับปรุงความแม่นยำและความตรงของเส้นเขียนภายใต้ขนาดการประมวลผลรูปแบบขนาดใหญ่ เพื่อหลีกเลี่ยงการทับซ้อนกันหรือข้ามระหว่างเส้น เพื่อให้แน่ใจว่าวิถี P1/P2/P3 มีความสม่ำเสมอ และเพื่อลดพื้นที่ของโซนตายให้เหลือน้อยที่สุด
ในด้านเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางJPT ได้พัฒนาเลเซอร์หลากหลายชนิดอุปกรณ์อัจฉริยะสำหรับสถานการณ์การใช้งานที่แตกต่างกัน ซึ่งสามารถครอบคลุมกระบวนการเขียนด้วยเลเซอร์และกระบวนการล้างขอบด้วยเลเซอร์ตั้งแต่ P1 ถึง P4 ในการผลิตเซลล์แร่แคลเซียมไททาเนียม ปัจจุบันบริษัทได้เก็บเกี่ยวตามคำสั่งซื้อและอุปกรณ์ส่วนใหญ่ได้รับการส่งมอบและยอมรับแล้ว อุปกรณ์เลเซอร์ครบชุดสำหรับสายการผลิตจำนวนมาก 100MW ที่บริษัทส่งมอบให้กับลูกค้าชั้นนำของอุตสาหกรรม "GCL Photovoltaic" ในเดือนกรกฎาคมปีที่แล้ว ขณะนี้ทำงานได้อย่างราบรื่น และกำลังมุ่งสู่เป้าหมายความกว้างของ Dead Zone ที่แคบลง อุปกรณ์สายการผลิตระดับ GW รุ่นใหม่ได้รับการพัฒนา และคาดว่าจะสร้างความก้าวหน้าครั้งใหม่ในด้านอุปกรณ์ chalcogenide ในอนาคต
